| IPP023N10N5AKSA1 | |
|---|---|
| Hlutanúmer | IPP023N10N5AKSA1 |
| Framleiðandi | Infineon Technologies |
| Lýsing | MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 |
| Magn í boði | 9172 pcs new original in stock. Beiðni lager og tilvitnun |
| Gagnablöð | 1.IPP023N10N5AKSA1.pdf2.IPP023N10N5AKSA1.pdf |
| IPP023N10N5AKSA1 Price |
Beðið um verð og leiðartíma á netinu or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Tæknilegar upplýsingar um IPP023N10N5AKSA1 | |||
|---|---|---|---|
| Framleiðandi hlutanúmer | IPP023N10N5AKSA1 | Flokkur | Stakur hálfleiðari |
| Framleiðandi | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Lýsing | MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 |
| Pakki / tilfelli | PG-TO220-3 | Magn í boði | 9172 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 270µA | Vgs (hámark) | ±20V |
| Tækni | MOSFET (Metal Oxide) | Birgir Tæki Pakki | PG-TO220-3 |
| Röð | OptiMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 100A, 10V |
| Orkunotkun (hámark) | 375W (Tc) | Pakki / tilfelli | TO-220-3 |
| Pakki | Tube | Vinnuhitastig | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Uppsetningartegund | Through Hole | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15600 pF @ 50 V |
| Hliðargjald (Qg) (Hámark) @ Vgs | 210 nC @ 10 V | FET tegund | N-Channel |
| FET eiginleiki | - | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Afrennsli til uppspretta spenna (VDSS) | 100 V | Núverandi - Stöðug holræsi (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Grunnvörunúmer | IPP023 | ||
| Sækja | IPP023N10N5AKSA1 PDF - EN.pdf | ||
Varaheiti
IPP023N10N5AKSA1
Inngangur
Hágæða N-rásafl MOSFET
Merkjanöfn og framleiðandi
Infineon Technologies (fyrrum International Rectifier)
Eiginleikar
Hágæða straumsviðnám
Lág Rds On viðnám
Búið til fyrir hraða umskipt
Hágæða aflskilvirkni
Vörulegging
Sterk hitavirkni
Traust við háa hita
Þolir háa drain-to-source spennu
Tekniskar skilgreiningar
MOSFET tækni
100V drain-to-source spenna
120A stöðugur drain straumur
Mát, form og innihaldsgögn
TO-220-3 umbúð
Í gegnum holu festing
Rörumbúð
Gæði og áreiðanleiki
Hannað fyrir langvarandi stöðugleika
Stress-prófað fyrir þol
Vörufréttindi
Orkusparandi
Hágæða straumumsvif
Vöruðjóska
Samkeppnishæft í há-styrk notkunum
Fullnægir iðnaðarstaðla
Samræmi
Virkar með breiðu úrvali drif- og stýribúnaðar
Staðla, skilríki og samræmi
Aðeins blýlaust
Samþykkt RoHS
Lífslengd og hagstæðni
Hannað fyrir lengri líftíma
Sjálfbær blýlaus samsetning
Reiknileg notkunarsvæði
Aflstjórnun
DC-DC breytar
Véladrif
Aflveitur
Sendu okkur tölvupóst: Info@Ariat-Tech.com eða RFQ IPP023N10N5AKSA1 á netinu.
| IPP023N10N5AKSA1 Birgðir | IPP023N10N5AKSA1 Verð | IPP023N10N5AKSA1 Rafeindabúnaður | |||
| IPP023N10N5AKSA1 Íhlutir | IPP023N10N5AKSA1 Birgðaskrá | IPP023N10N5AKSA1 Digikey | |||
| Birgir IPP023N10N5AKSA1 | Panta IPP023N10N5AKSA1 á netinu | Fyrirspurn um IPP023N10N5AKSA1 | |||
| Mynd af IPP023N10N5AKSA1 | Ljósmynd af IPP023N10N5AKSA1 | IPP023N10N5AKSA1 PDF | |||
| Gagnablað IPP023N10N5AKSA1 | Sækja gagnablað IPP023N10N5AKSA1 | Framleiðandi Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
| Svipaðir hlutar fyrir IPP023N10N5AKSA1 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Mynd | Hlutanúmer | Lýsing | Framleiðandi | Fáðu tilvitnun | |
 |
IPP023NE7N3 G | MOSFET N-CH 75V 120A TO220 | Infineon Technologies | ||
 |
IPP023NE7N | IPP023NE7N INFINEO | INFINEON | ||
|
IPP023N08N5 | INFINEON TO-220 | Infineon | ||
|
IPP024N06N | INFINEON | |||
|
IPP023N04NGHKSA1 | MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3 | Infineon Technologies | ||
|
IPP023N04N | IPP023N04N INFINEON | INFINEON | ||
|
IPP024N06N3 G | IPP024N06N3 G VB | INFINEON | ||
 |
IPP023NE7N3GXKSA1 | MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3 | Infineon Technologies | ||
|
IPP023N04N G | IPP023N04N G VB | Infineon | ||
 |
IPP023N10N5-VB | EMI | |||
|
IPP023NE7N3G | MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3 | Infineon Technologies | ||
|
IPP023N08N5AKSA1 | MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 | Infineon Technologies | ||
|
IPP023N10N5 | IPP023N10N5 VB | INFINEON | ||
|
IPP024N06N3 | INEON | |||
|
IPP023N04NG | IPP023N04NG VB | INFINEON | ||
|
IPP023NE7N3 | IPP023NE7N3 Original | INFINEON | ||
|
IPP023N10N5 023N10N5 | INFINEON | |||
|
IPP023N04NGXKSA1 | MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3 | Infineon Technologies | ||
|
IPP024N06N3G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | Infineon Technologies | ||
|
IPP023NE7N3G 023NE7N | INFINEON | |||
Fréttir
Meira
Þann 19. apríl 2026 (að staðartíma) leiddu fjölmiðlar sem vitna í heimildir sem þekkja til málsins að Google, dótturfyrirtæki Alphabet, ...
Samkvæmt *The Business Times* byrjaði CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate) tilraunalína TSMC að afhenda búnað til rannsóknar- og þróunarteymisi...
Þann 6. apríl að staðartíma tilkynnti bandaríski gervigreindartæknirisinn Anthropic að hann hafi undirritað nýjan samning við Google og Bro...
Þann 1. apríl tilkynnti Microsoft að það myndi fjárfesta 5,5 milljarða dala í Singapúr til að halda áfram að stækka skýja- og gervigrein...
Samsung Electronics verður fyrst til að afhenda næstu kynslóð HBM4 eingöngu til OpenAI, stærsta gervigreindarfyrirtækis (AI) heims með höfu...
nýjar vörur
Meira
Texas Instruments TPS92542-Q1 Samstilltur uppörvunarstýring inniheldur samstilltur uppörvunarstýringu og tveggja rásar einlyfja samstilltur Buck ...
Toshiba TB67H453 stakur rás H-brú ökumanns er með núverandi eftirlitsaðgerð með spennuviðbrögðum frá Isense Output Pin.Algjör hámarksein...
STMICROELECTRONICS STSAFE-A120 sannvottun ICS eru mjög örugg samþætt hringrás sem er hönnuð til að vernda viðkvæm gögn og tæki með háþr...
STMICROELECTRONICS STSAFE-A Bjartsýni auðkenning ICS nýtir háþróaða dulmálsreiknirit og lykilstjórnunaraðferðir til að vernda viðkvæm g...
Díóða innlimaði PI3DPX1235Q 6: 4 Línulegt endurdráttarferill þverslána styður DP hlekk-þjálfun gagnsæ fyrir uppspretta hliðarforrit.PI3DP...
Netfang: Info@ariat-tech.comHK SÍMI: +852 30501966HEIMILISFANG: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Höfundarréttartilkynning © 1996-2026 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED. Öll réttindi áskilin.