IPD60N10S4L12ATMA1
Hlutanúmer IPD60N10S4L12ATMA1
Framleiðandi Infineon Technologies
Lýsing MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Magn í boði 5112 pcs new original in stock.
Beiðni lager og tilvitnun
Gagnablöð 1.IPD60N10S4L12ATMA1.pdf2.IPD60N10S4L12ATMA1.pdf3.IPD60N10S4L12ATMA1.pdf
IPD60N10S4L12ATMA1 Price Beðið um verð og leiðartíma á netinu
or Email us: Info@ariat-tech.com
Tæknilegar upplýsingar um IPD60N10S4L12ATMA1
Framleiðandi hlutanúmer IPD60N10S4L12ATMA1 Flokkur Stakur hálfleiðari
Framleiðandi Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Lýsing MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Pakki / tilfelli PG-TO252-3-313 Magn í boði 5112 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 46µA Vgs (hámark) ±16V
Tækni MOSFET (Metal Oxide) Birgir Tæki Pakki PG-TO252-3-313
Röð Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 60A, 10V
Orkunotkun (hámark) 94W (Tc) Pakki / tilfelli TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakki Tape & Reel (TR) Vinnuhitastig -55°C ~ 175°C (TJ)
Uppsetningartegund Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3170 pF @ 25 V
Hliðargjald (Qg) (Hámark) @ Vgs 49 nC @ 10 V FET tegund N-Channel
FET eiginleiki - Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Afrennsli til uppspretta spenna (VDSS) 100 V Núverandi - Stöðug holræsi (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)
Grunnvörunúmer IPD60N10  
SækjaIPD60N10S4L12ATMA1 PDF - EN.pdf
IPD60N10S4L12ATMA1 eru nýjar og upprunalegar á lager, finndu IPD60N10S4L12ATMA1 rafeindahluti íhluti á lager, gagnablað, birgðir og verð á Ariat-Tech.com á netinu, pantaðu IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies með ábyrgð og trausti frá Ariat Technology Limitd. Sent með DHL/FedEx/UPS. Greiðsla með millifærslu eða PayPal er í lagi.
Sendu okkur tölvupóst: Info@Ariat-Tech.com eða RFQ IPD60N10S4L12ATMA1 á netinu.
*Part No. Manufacturer Target Price(USD) *Request Qty Action
Add Item

Enter Your Contact Information

Senda inn
IPD60N10S4L12ATMA1 BirgðirIPD60N10S4L12ATMA1 VerðIPD60N10S4L12ATMA1 Rafeindabúnaður
IPD60N10S4L12ATMA1 ÍhlutirIPD60N10S4L12ATMA1 BirgðaskráIPD60N10S4L12ATMA1 Digikey
Birgir IPD60N10S4L12ATMA1Panta IPD60N10S4L12ATMA1 á netinu Fyrirspurn um IPD60N10S4L12ATMA1
Mynd af IPD60N10S4L12ATMA1Ljósmynd af IPD60N10S4L12ATMA1IPD60N10S4L12ATMA1 PDF
Gagnablað IPD60N10S4L12ATMA1Sækja gagnablað IPD60N10S4L12ATMA1Framleiðandi Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Svipaðir hlutar fyrir IPD60N10S4L12ATMA1
Mynd Hlutanúmer Lýsing Framleiðandi PDF Fáðu tilvitnun
IPD60R180C7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3 Infineon Technologies
Fáðu tilvitnun
IPD60N10S4L-12 IC INFINEON TO252 INFINEON  
Fáðu tilvitnun
IPD60R180P7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3 Infineon Technologies
Fáðu tilvitnun
IPD60R180P7ATMA1 60R180P7 INFINEON  
Fáðu tilvitnun
IPD60R170CFD7 INENOI  
Fáðu tilvitnun
IPD60R145CFD7ATMA1 MOSFET N CH Infineon Technologies
Fáðu tilvitnun
IPD60R145CFD7 INFINEON T0-252 INFINEON  
Fáðu tilvitnun
IPD600N25N3G MOS INFINEON TO-252 INFINEON  
Fáðu tilvitnun
IPD600N25N3GATMA1 MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3 Infineon Technologies
Fáðu tilvitnun
IPD60R180P7S INFINEON/ New Infineon  
Fáðu tilvitnun
IPD600N25N3GBTMA1 MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3 Infineon Technologies
Fáðu tilvitnun
IPD60N10S4L-12-VB EMI  
Fáðu tilvitnun
IPD60R180P7 Infineon  
Fáðu tilvitnun
IPD60N10S4L-12 IPD60N10S4L-12 INFINEON Infineon  
Fáðu tilvitnun
IPD60N10S4L-12 MOS VBSEMI PG-TO252-3-313 VBSEMI  
Fáðu tilvitnun
IPD60R180C7 INFINEON TO252 Infineon  
Fáðu tilvitnun
IPD60N10S412ATMA1 MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3 Infineon Technologies
Fáðu tilvitnun
IPD600N25N3G 600N25N INFINEON  
Fáðu tilvitnun
IPD60R170CFD7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3 Infineon Technologies
Fáðu tilvitnun
IPD60N10S4-12 INFINEON TO252 Infineon  
Fáðu tilvitnun

Fréttir

Meira
Google á í viðræðum við Marvell um að þróa tvær g...

Þann 19. apríl 2026 (að staðartíma) leiddu fjölmiðlar sem vitna í heimildir sem þekkja til málsins að Google, dótturfyrirtæki Alphabet, ...

TSMC framfarir Panel-Level Packaging Technology;Gert er rá...

Samkvæmt *The Business Times* byrjaði CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate) tilraunalína TSMC að afhenda búnað til rannsóknar- og þróunarteymisi...

Anthropic á í samstarfi við Google og Broadcom til að d...

Þann 6. apríl að staðartíma tilkynnti bandaríski gervigreindartæknirisinn Anthropic að hann hafi undirritað nýjan samning við Google og Bro...

Microsoft tilkynnir um 5,5 milljarða dala fjárfestingu ti...

Þann 1. apríl tilkynnti Microsoft að það myndi fjárfesta 5,5 milljarða dala í Singapúr til að halda áfram að stækka skýja- og gervigrein...

Samsung hefur náð einkaréttum HBM4 birgðasamningi við ...

Samsung Electronics verður fyrst til að afhenda næstu kynslóð HBM4 eingöngu til OpenAI, stærsta gervigreindarfyrirtækis (AI) heims með höfu...

nýjar vörur

Meira
Texas Instruments TPS92542-Q1 samstilltur uppörvunarstýring

Texas Instruments TPS92542-Q1 Samstilltur uppörvunarstýring inniheldur samstilltur uppörvunarstýringu og tveggja rásar einlyfja samstilltur Buck ...

Toshiba TB67H453 Single Channel H-Bridge Driver

Toshiba TB67H453 stakur rás H-brú ökumanns er með núverandi eftirlitsaðgerð með spennuviðbrögðum frá Isense Output Pin.Algjör hámarksein...

Stmicroelectronics STSAFE-A120 sannvottun ICS

STMICROELECTRONICS STSAFE-A120 sannvottun ICS eru mjög örugg samþætt hringrás sem er hönnuð til að vernda viðkvæm gögn og tæki með háþr...

Stmicroelectronics STSAFE-A Bjartsýni auðkenning ICS

STMICROELECTRONICS STSAFE-A Bjartsýni auðkenning ICS nýtir háþróaða dulmálsreiknirit og lykilstjórnunaraðferðir til að vernda viðkvæm g...

Díóða innbyggt PI3DPX1235Q 64 Crossbar Linear Redriver

Díóða innlimaði PI3DPX1235Q 6: 4 Línulegt endurdráttarferill þverslána styður DP hlekk-þjálfun gagnsæ fyrir uppspretta hliðarforrit.PI3DP...

Netfang: Info@ariat-tech.comHK SÍMI: +852 30501966HEIMILISFANG: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.