| IPD082N10N3GATMA1 | |
|---|---|
| Hlutanúmer | IPD082N10N3GATMA1 |
| Framleiðandi | Infineon Technologies |
| Lýsing | MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 |
| Magn í boði | 7983 pcs new original in stock. Beiðni lager og tilvitnun |
| Gagnablöð | 1.IPD082N10N3GATMA1.pdf2.IPD082N10N3GATMA1.pdf3.IPD082N10N3GATMA1.pdf |
| IPD082N10N3GATMA1 Price |
Beðið um verð og leiðartíma á netinu or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Tæknilegar upplýsingar um IPD082N10N3GATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Framleiðandi hlutanúmer | IPD082N10N3GATMA1 | Flokkur | Stakur hálfleiðari |
| Framleiðandi | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Lýsing | MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 |
| Pakki / tilfelli | PG-TO252-3 | Magn í boði | 7983 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA | Vgs (hámark) | ±20V |
| Tækni | MOSFET (Metal Oxide) | Birgir Tæki Pakki | PG-TO252-3 |
| Röð | OptiMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 73A, 10V |
| Orkunotkun (hámark) | 125W (Tc) | Pakki / tilfelli | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pakki | Tape & Reel (TR) | Vinnuhitastig | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Uppsetningartegund | Surface Mount | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3980 pF @ 50 V |
| Hliðargjald (Qg) (Hámark) @ Vgs | 55 nC @ 10 V | FET tegund | N-Channel |
| FET eiginleiki | - | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Afrennsli til uppspretta spenna (VDSS) | 100 V | Núverandi - Stöðug holræsi (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Grunnvörunúmer | IPD082 | ||
| Sækja | IPD082N10N3GATMA1 PDF - EN.pdf | ||
Sendu okkur tölvupóst: Info@Ariat-Tech.com eða RFQ IPD082N10N3GATMA1 á netinu.
| IPD082N10N3GATMA1 Birgðir | IPD082N10N3GATMA1 Verð | IPD082N10N3GATMA1 Rafeindabúnaður | |||
| IPD082N10N3GATMA1 Íhlutir | IPD082N10N3GATMA1 Birgðaskrá | IPD082N10N3GATMA1 Digikey | |||
| Birgir IPD082N10N3GATMA1 | Panta IPD082N10N3GATMA1 á netinu | Fyrirspurn um IPD082N10N3GATMA1 | |||
| Mynd af IPD082N10N3GATMA1 | Ljósmynd af IPD082N10N3GATMA1 | IPD082N10N3GATMA1 PDF | |||
| Gagnablað IPD082N10N3GATMA1 | Sækja gagnablað IPD082N10N3GATMA1 | Framleiðandi Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
| Svipaðir hlutar fyrir IPD082N10N3GATMA1 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Mynd | Hlutanúmer | Lýsing | Framleiðandi | Fáðu tilvitnun | |
 |
IPD088N04LG | IPD088N04LG INFINEON | INFINEON | ||
 |
IPD079N06L3GBTMA1 | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | Infineon Technologies | ||
 |
IPD088N06N IC | INF TO-252 | INF | ||
 |
IPD088N06N3 G | IPD088N06N3 G Infineon Technologies | Infineon Technologies | ||
|
IPD088N04L G | IPD088N04L G VB | VB | ||
|
IPD082N10N3G | IPD082N10N3G INFINEON | Infineon | ||
|
IPD088N06N | IPD088N06N INFINEON | INFINEON | ||
|
IPD082N10N3GBTMA1 | MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 | Infineon Technologies | ||
|
IPD088N04LGBTMA1 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 | Infineon Technologies | ||
|
IPD088N04L | EMI | |||
|
IPD088N04LG MOS | VBSEMI PG-TO252-3 | VBSEMI | ||
|
IPD088N06N3 | INFINEON TO-252 | Infineon | ||
|
IPD082N10N3G-VB | EMI | |||
|
IPD079N06L3GATMA1 | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | Infineon Technologies | ||
|
IPD07N03L | IPD07N03L VB | INFINEON | ||
|
IPD082N10N3G 082N10N | INFINEON TO-252 | INFINEON | ||
|
IPD082N10N3 G | IPD082N10N3 G INFINEON | INFINEON | ||
|
IPD082N10N3G MOS | INFINEON TO-252 | INFINEON | ||
|
IPD082N10N3 | INEON | |||
|
IPD07N03LA | IPD07N03LA VB | INFINEON | ||
Fréttir
Meira
Þann 19. apríl 2026 (að staðartíma) leiddu fjölmiðlar sem vitna í heimildir sem þekkja til málsins að Google, dótturfyrirtæki Alphabet, ...
Samkvæmt *The Business Times* byrjaði CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate) tilraunalína TSMC að afhenda búnað til rannsóknar- og þróunarteymisi...
Þann 6. apríl að staðartíma tilkynnti bandaríski gervigreindartæknirisinn Anthropic að hann hafi undirritað nýjan samning við Google og Bro...
Þann 1. apríl tilkynnti Microsoft að það myndi fjárfesta 5,5 milljarða dala í Singapúr til að halda áfram að stækka skýja- og gervigrein...
Samsung Electronics verður fyrst til að afhenda næstu kynslóð HBM4 eingöngu til OpenAI, stærsta gervigreindarfyrirtækis (AI) heims með höfu...
nýjar vörur
Meira
Texas Instruments TPS92542-Q1 Samstilltur uppörvunarstýring inniheldur samstilltur uppörvunarstýringu og tveggja rásar einlyfja samstilltur Buck ...
Toshiba TB67H453 stakur rás H-brú ökumanns er með núverandi eftirlitsaðgerð með spennuviðbrögðum frá Isense Output Pin.Algjör hámarksein...
STMICROELECTRONICS STSAFE-A120 sannvottun ICS eru mjög örugg samþætt hringrás sem er hönnuð til að vernda viðkvæm gögn og tæki með háþr...
STMICROELECTRONICS STSAFE-A Bjartsýni auðkenning ICS nýtir háþróaða dulmálsreiknirit og lykilstjórnunaraðferðir til að vernda viðkvæm g...
Díóða innlimaði PI3DPX1235Q 6: 4 Línulegt endurdráttarferill þverslána styður DP hlekk-þjálfun gagnsæ fyrir uppspretta hliðarforrit.PI3DP...
Netfang: Info@ariat-tech.comHK SÍMI: +852 30501966HEIMILISFANG: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Höfundarréttartilkynning © 1996-2026 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED. Öll réttindi áskilin.